时光的印记里，藏着电子科技发展的密码；创新的序章中，记录着从无到有的跋涉。电科信物栏目用文字还原老故事，用镜头留存老物件，让见证电子科技进步的信物“发声”，让铭刻创新发展的历史“说话”。

　　邀你成为时光见证者，一起踏上这段有温度、有触感的寻物旅程。让我们跟随这些“时光见证者”，聆听电子科技从筚路蓝缕到星辰大海的澎湃回响。

新中国第一块砷化镓微波低噪声单片集成电路

　　在1956年“向科学进军”的号召下，半导体技术被列为国家四大紧急措施之一。

　　中国电科55所从1958年建所初期，就开始了第一代半导体锗、硅两端器件的研究，并成功研制出国内第一块片状锗单晶。

锗单晶

　　1968年，55所紧盯国际半导体技术发展前沿，开始了第二代半导体砷化镓晶体管研制，并在70年代开始砷化镓场效应晶体管研究，开始向微波毫米波半导体三端器件和微波单片集成电路方向发展。

　　一代材料、一代器件

　　微波单片集成电路技术（MMIC）具有小型化、高性能、低成本等优势，可以广泛应用在陆海空天各型装备中，当时被喻为一项顶级战略性技术。1977年，当55所原总工程师林金庭提出这一研究构想时，还查不到相关技术文献报道。“国家有需要，55所人就去干”！秉持着这一使命，55所“微波单片集成放大器课题组”成立。

　　课题组克服了实验室硬件条件不足等困难，没有条件创造条件，自己动手研制实验设备，经过两年多的艰苦奋斗，在1980年，成功研制出新中国第一块砷化镓低噪声微波单片集成电路，研究成果被评为“六五”国家科技攻关优秀成果。同年，55所研制的砷化镓双栅场效应晶体管也获得国家科学技术进步一等奖。

　　技术突破了就要上装备

　　为了提高批产能力，1985年，55所承接了国家重点项目微波电路生产线建设工程，先后建立了国内第一条2、3、4英寸砷化镓微波器件研制线，实现了小片到标准晶圆的跃升，满足了相关装备自主保障需求，并保证了载人航天、探月等一批重大工程。

　　如今，老一辈科研人员创业的精神依然熠熠生辉，激励着年轻一代55所人矢志强芯固基，在勇争第一、创新图强的道路上坚定不移地向前进！